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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MIC4120YME +BOM

6 A MOSFET Gate Driver.

Hersteller:

MICROCHIP
Herstellerteil #:

MIC4120YME
Datenblatt:

MIC4120YME Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

8-SOIC-EP
Produktart:

Gate Drivers
Lebenszyklus:

Active
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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MIC4120YME Allgemeine Beschreibung

The MIC4120YME MOSFET driver is a versatile and high-performance solution for driving power MOSFETs and IGBTs in various converter applications. With a fast propagation delay of 27 ns, this driver is ideal for high-frequency operations where speed is crucial. Its impressive output current capability of up to 4A ensures efficient and rapid switching of power devices with high gate capacitances

Hauptmerkmale

CMOS construction

Latch-up protected: will withstand > 200 mA reverse output current

Logic input withstands negative swing of up to 5 V

Matched rise and fall times of 25 ns

High peak output current at 6 A

Wide operating range from 4.5 V to 20 V

High capacitive load drive of 10,000 pF

Low delay time of 55 ns typical

Logic high input for any voltage from 2.4 V to V_S

Low equivalent input capacitance (typical) at 6 pF

Low supply current is 450 µA with logic 1 input

Low output impedance is 2.5 Ω

Output voltage swing within 25 mV of ground or V_S

Exposed backside pad packaging reduces heat

ePad SOIC-8L (θ_JA = 58°C/W)

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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