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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MMDT2907A-7-F +BOM

Silicon Transistors

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

MMDT2907A-7-F
Datenblatt:

MMDT2907A-7-F Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMDT2907A-7-F

MMDT2907A-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Hauptmerkmale

Ultra-Small Surface Mount Package
Epitaxial Planar Die Construction
Ideal for Low Power Amplification and Switching
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.6 V
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	200 mW
Gain Bandwidth Product fT	200 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MMDT29
Continuous Collector Current	- 600 mA	DC Current Gain hFE Max	300
Height	1 mm	Length	2.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.35 mm	Unit Weight	0.000212 oz

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