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Siehe Technische Spezifikationen

MMDT3946-7-F +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

MMDT3946-7-F
Datenblatt:

MMDT3946-7-F Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V

MMDT3946-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Hauptmerkmale

Complementary Pair One 3904-Type NPN

One 3906-Type PNP

Epitaxial Planar Die Construction

Ideal for Low Power Amplification and Switching

Ultra-Small Surface Mount Package

Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)

"Green" Device (Note 4 and 5)

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V, 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V, 5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV, 400 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	200 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz, 250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MMDT39
Continuous Collector Current	200 mA	DC Current Gain hFE Max	300
Height	1 mm	Length	2.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.35 mm	Unit Weight	0.000212 oz

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