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Siehe Technische Spezifikationen

MR2A16AMYS35R +BOM

Low-power consumption and high-speed interface make it an excellent choice for real-time processing applications

Hersteller:

Everspin Technologies
Herstellerteil #:

MR2A16AMYS35R
Datenblatt:

MR2A16AMYS35R Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q100
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

RAM
Technology:

MRAM (Magnetoresistive RAM)
EDA/CAD Modelle:

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MR2A16AMYS35R Allgemeine Beschreibung

MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 4Mbit Parallel 35 ns 44-TSOP2

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	Automotive, AEC-Q100
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	RAM
Technology	MRAM (Magnetoresistive RAM)	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	256K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	35ns	Access Time	35 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	MR2A16
Product Category:	MRAM	Memory Size:	4 Mbit
Organization:	256 k x 16	Data Bus Width:	16 bit
Mounting Style:	SMD/SMT	Access Time:	35 ns
Supply Voltage - Min:	3 V	Supply Voltage - Max:	3.6 V
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 125 C
Series:	MR2A16A	Packaging:	Reel
Moisture Sensitive:	Yes	Product Type:	MRAM
Factory Pack Quantity:	1500	Subcategory:	Memory & Data Storage

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