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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MT28EW512ABA1HJS-0SIT +BOM

3V/3.3V Voltage

Hersteller:

Micron Technology
Herstellerteil #:

MT28EW512ABA1HJS-0SIT
Datenblatt:

MT28EW512ABA1HJS-0SIT Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Series:

MT28EW
Memory Size:

512 Mbit
Supply Voltage - Min:

2.7 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT28EW512ABA1HJS-0SIT

MT28EW512ABA1HJS-0SIT Allgemeine Beschreibung

Elevate your mobile device's performance with the Micron Technology MT28EW512ABA1HJS-0SIT LPDDR4 SDRAM memory module. This advanced module boasts a speed of 4266 Mbps and a low operating voltage of 1.1V, making it an energy-efficient option for a range of applications. The module's 32-bit wide data bus ensures efficient data transfer, while the on-die termination and temperature sensor features enhance its reliability and performance. With a compact FBGA package measuring 11mm x 14mm, this module is ideal for small form factor devices where space is limited. Whether it's for a smartphone, tablet, or another mobile device, the MT28EW512ABA1HJS-0SIT offers exceptional speed and efficiency in a reliable package

Hauptmerkmale

High-quality NAND Flash memory
Advanced ECC functionality included
Low power consumption for optimal performance

Anwendung

Smart home
devices making
life easier

Spezifikationen

Product Category	NOR Flash	Mounting Style	SMD/SMT
Series	MT28EW	Memory Size	512 Mbit
Supply Voltage - Min	2.7 V	Supply Voltage - Max	3.6 V
Active Read Current - Max	50 mA	Interface Type	Parallel
Organization	64 M x 8/32 M x 16	Data Bus Width	8 bit/16 bit
Timing Type	Asynchronous	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	NOR Flash	Speed	95 ns
Factory Pack Quantity	576	Subcategory	Memory & Data Storage

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