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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MT29F4G08ABADAH4-IT:D +BOM

Single-level cell NAND flash memory

Hersteller:

Micron Semiconductor Products Inc
Herstellerteil #:

MT29F4G08ABADAH4-IT:D
Datenblatt:

MT29F4G08ABADAH4-IT:D Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Series:

MT29F
Memory Size:

4 Gbit
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT29F4G08ABADAH4-IT:D

MT29F4G08ABADAH4-IT:D Allgemeine Beschreibung

Operating on a supply voltage of 2.7 to 3.6 volts, the MT29F4G08ABADAH4-IT:D delivers fast performance with a read speed of up to 30 nanoseconds and a program time of 200 microseconds per page. This chip also offers high-speed page read and program features, as well as a random data read access mode, making it versatile for different applications requiring quick data access

Spezifikationen

Product Category:	NAND Flash	Mounting Style:	SMD/SMT
Series:	MT29F	Memory Size:	4 Gbit
Interface Type:	Parallel	Organization:	512 M x 8
Timing Type:	Asynchronous	Data Bus Width:	8 bit
Supply Voltage - Min:	2.7 V	Supply Voltage - Max:	3.6 V
Supply Current - Max:	35 mA	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C	Packaging:	Tray
Moisture Sensitive:	Yes	Product:	NAND Flash
Product Type:	NAND Flash	Factory Pack Quantity:	1260
Subcategory:	Memory & Data Storage	Unit Weight:	0.180694 oz

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