Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MT29F4G08ABADAWP-ITX:D +BOM

Single-Level Cell NAND Flash memory device with a capacity of 4 Gigabits

Hersteller:

Micron Semiconductor Products Inc
Herstellerteil #:

MT29F4G08ABADAWP-ITX:D
Datenblatt:

MT29F4G08ABADAWP-ITX:D Datenblatt (PDF)
Pin Count:

48
Released Date:

Nov 27, 2020
Last Modified Date:

Mar 7, 2023 4:10 PM UTC
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT29F4G08ABADAWP-ITX:D

MT29F4G08ABADAWP-ITX:D Allgemeine Beschreibung

When it comes to high-density storage solutions for electronic devices, the MT29F4G08ABADAWP-ITX:D from Micron Technology stands out from the crowd. Boasting a spacious 4Gb capacity and a x8 parallel interface, this NAND flash memory chip offers rapid data transfer speeds and reliable performance. Its support for a standard 3.3V power supply voltage and industrial temperature ranges makes it a versatile choice for a variety of applications, while its built-in ECC functionality and advanced management features ensure data integrity and longevity

Spezifikationen

Pin Count	48	Released Date	Nov 27, 2020
Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..