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Siehe Technische Spezifikationen

MT29F4G08ABAEAWP:E +BOM

Small form factor flash memory

Hersteller:

Micron Semiconductor Products Inc
Herstellerteil #:

MT29F4G08ABAEAWP:E
Datenblatt:

MT29F4G08ABAEAWP:E Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Series:

MT29F
Memory Size:

4 Gbit
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT29F4G08ABAEAWP:E

MT29F4G08ABAEAWP:E Allgemeine Beschreibung

The MT29F4G08ABAEAWP:E NAND flash memory chip from Micron Technology is a powerhouse in the world of data storage. Boasting a massive 4 gigabit capacity, this chip is a reliable and efficient solution for all your storage needs. With a voltage range of 2.7 to 3.6 volts, it offers seamless integration into a variety of electronic devices, from smartphones to digital cameras

Spezifikationen

Product Category:	NAND Flash	Mounting Style:	SMD/SMT
Series:	MT29F	Memory Size:	4 Gbit
Interface Type:	Parallel	Organization:	512 M x 8
Timing Type:	Asynchronous	Data Bus Width:	8 bit
Supply Voltage - Min:	2.7 V	Supply Voltage - Max:	3.6 V
Supply Current - Max:	30 mA	Minimum Operating Temperature:	0 C
Maximum Operating Temperature:	+ 70 C	Packaging:	Tray
Active Read Current - Max:	30 mA	Moisture Sensitive:	Yes
Product:	NAND Flash	Product Type:	NAND Flash
Factory Pack Quantity:	960	Subcategory:	Memory & Data Storage

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