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Siehe Technische Spezifikationen

MT29F4G16ABBDAH4:D +BOM

Single-Level Cell NAND Flash Memory

Hersteller:

Micron Technology Inc.
Herstellerteil #:

MT29F4G16ABBDAH4:D
Datenblatt:

MT29F4G16ABBDAH4:D Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FLASH
Technology:

FLASH - NAND
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT29F4G16ABBDAH4:D

MT29F4G16ABBDAH4:D Allgemeine Beschreibung

The MT29F4G16ABBDAH4:D from Micron Technology is a cutting-edge NAND flash memory device boasting a 4 gigabyte capacity. With an organizational structure of 2048 blocks x 128 pages x 8192 bytes, this device is a powerhouse in terms of storage capabilities. Operating on a voltage range of 2.7V to 3.6V, it offers a lightning-fast synchronous interface with a clock frequency reaching up to 108 MHz

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	Technology	FLASH - NAND
Memory Size	4Gbit	Memory Organization	256M x 16
Memory Interface	Parallel	Voltage - Supply	1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	MT29F4G16

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