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Siehe Technische Spezifikationen

MT47H128M16HG-3IT +BOM

High-Speed DRAM for Efficient Computi

Hersteller:

MICRON TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

MT47H128M16HG-3IT
Datenblatt:

MT47H128M16HG-3IT Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.36
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT47H128M16HG-3IT

Hauptmerkmale

VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1 tCK
Selectable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Automotive temperature (AT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Access Mode	MULTI BANK PAGE BURST	Access Time-Max	0.45 ns
Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 Code	R-PBGA-B84
Length	14 mm	Memory Density	2147483648 bit
Memory IC Type	DDR2 DRAM	Memory Width	16
Number of Functions	1	Number of Ports	1
Number of Terminals	84	Number of Words	134217728 words
Number of Words Code	128000000	Operating Mode	SYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Organization	128MX16	Seated Height-Max	1.2 mm
Self Refresh	YES	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.9 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM
Width	11.5 mm

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