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Siehe Technische Spezifikationen

MT53D512M16D1DS-046 WT:D +BOM

High-density memory chip with 8Gbit capacity and 512Mx16 configuration

Hersteller:

Micron Semiconductor Products Inc
Herstellerteil #:

MT53D512M16D1DS-046 WT:D
Datenblatt:

MT53D512M16D1DS-046 WT:D Datenblatt (PDF)
Pin Count:

200
Released Date:

Jul 1, 2023
Last Modified Date:

Jul 1, 2023 6:25 AM UTC
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT53D512M16D1DS-046 WT:D

MT53D512M16D1DS-046 WT:D Allgemeine Beschreibung

Powered by a 1.2V power supply, the MT53D512M16D1DS-046 WT:D stands out for its energy-efficient design that minimizes power consumption and heat dissipation. This makes it a reliable choice for systems that demand high memory capabilities without compromising on efficiency. The DRAM component embedded in this module is engineered for durability and optimal performance, guaranteeing reliable operation even when subjected to demanding workloads

Micron Semiconductor Products Inc Inventar

Micron Semiconductor Products Inc Originalbestand

Spezifikationen

Pin Count	200	Released Date	Jul 1, 2023
Last Modified Date	Jul 1, 2023 6:25 AM UTC

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