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Siehe Technische Spezifikationen

MT53E256M32D2DS-053 AIT:B +BOM

-40C to 95C operating temperature

Hersteller:

Micron Technology
Herstellerteil #:

MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
Datenblatt:

MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Datenblatt (PDF)
Type:

SDRAM Mobile - LPDDR4
Memory Size:

8 Gbit
Data Bus Width:

32 bit
Organization:

256 M x 32
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT53E256M32D2DS-053 AIT:B

MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Allgemeine Beschreibung

SDRAM, 256M X 32BIT, -40 TO 95DEG C; DRAM Memory Configuration: 256M x 32bit; Memory Case Style: WFBGA; No. of Pins: 200Pins; IC Interface Type: Parallel; Access Time: 535ps; Page Size: 2048Byte; Operating Temperature Min: -40°

Hauptmerkmale

256Mb density
32 banks architecture
2,400 MHz clock frequency
1.8V power supply
3.0V I/O interface
Double data rate (DDR)
Package: 170-ball VFBGA
Temperature range: -40°C to 85°C

Anwendung

Mobile devices
Telecommunications equipment
Automotive electronics
Industrial applications
Internet of Things (IoT) devices
Networking equipment
Medical devices
Consumer electronics
Smart home devices

Spezifikationen

Product Category	DRAM	Type	SDRAM Mobile - LPDDR4
Memory Size	8 Gbit	Data Bus Width	32 bit
Organization	256 M x 32	Series	MT53E
Moisture Sensitive	Yes	Mounting Style	SMD/SMT
Product Type	DRAM	Factory Pack Quantity	1360
Subcategory	Memory & Data Storage

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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