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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MT53E256M32D2DS-053 WT:B +BOM

Low Power 200-Pin WFBGA Chip

Hersteller:

Micron Technology
Herstellerteil #:

MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Datenblatt:

MT53E256M32D2DS-053 WT:B Datenblatt (PDF)
Type:

SDRAM Mobile - LPDDR4
Memory Size:

8 Gbit
Data Bus Width:

32 bit
Maximum Clock Frequency:

1.866 GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT53E256M32D2DS-053 WT:B

MT53E256M32D2DS-053 WT:B Allgemeine Beschreibung

Upgrade your mobile device with the MT53E256M32D2DS-053 WT:B DRAM module and experience a new level of speed and efficiency. With its cutting-edge technology and compact WFBGA package, this module is the ideal choice for demanding mobile applications. Trust in its superior performance and reliability to take your mobile experience to the next level

Hauptmerkmale

High-capacity storage density
Fast access time
Low latency data transfer
Real-time monitoring and control

Anwendung

Smartphone compatibility
Connected car technology
Advanced automation solutions

Spezifikationen

Product Category	DRAM	Type	SDRAM Mobile - LPDDR4
Memory Size	8 Gbit	Data Bus Width	32 bit
Maximum Clock Frequency	1.866 GHz	Organization	256 M x 32
Supply Voltage - Max	1.1 V	Minimum Operating Temperature	- 25 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Series	MT53E
Moisture Sensitive	Yes	Mounting Style	SMD/SMT
Product Type	DRAM	Factory Pack Quantity	1360
Subcategory	Memory & Data Storage	Unit Weight	0.172642 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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