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Siehe Technische Spezifikationen

MT53E768M32D4DT-053 WT:E +BOM

IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA

Hersteller:

MICRON
Herstellerteil #:

MT53E768M32D4DT-053 WT:E
Datenblatt:

MT53E768M32D4DT-053 WT:E Datenblatt (PDF)
Type:

SDRAM Mobile - LPDDR4
Mounting Style:

SMD/SMT
Data Bus Width:

32 bit
Organization:

768 M x 32
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MT53E768M32D4DT-053 WT:E

MT53E768M32D4DT-053 WT:E Allgemeine Beschreibung

Enhance the performance of your mobile devices with the Micron MT53E768M32D4DT-053 WT:E DRAM module. Offering a memory configuration of 768M x 32Bit and a clock frequency max of 1.866GHz, this module delivers fast and efficient operation. The IC package is VFBGA and features 200 pins for easy installation and integration. With a supply voltage of 1.1V, this DRAM module is designed for energy efficiency, making it suitable for battery-powered devices. Additionally, it is RoHS compliant, meeting environmental standards and ensuring a sustainable choice for your application

Spezifikationen

Product Category	DRAM	Type	SDRAM Mobile - LPDDR4
Mounting Style	SMD/SMT	Data Bus Width	32 bit
Organization	768 M x 32	Memory Size	24 Gbit
Maximum Clock Frequency	1.866 GHz	Supply Voltage - Max	1.1 V
Minimum Operating Temperature	- 25 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Series	110S	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	DRAM	Factory Pack Quantity	1360
Subcategory	Memory & Data Storage

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