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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NCS20072DR2G +BOM

Op Amp Dual GP R-R O/P 36V 8-Pin SOIC N T/R

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NCS20072DR2G
Datenblatt:

NCS20072DR2G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

751-07
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NCS20072DR2G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NCS20072DR2G Allgemeine Beschreibung

Whether you require precision amplification for audio signals or control systems, the NCS20072DR2G offers a cost-effective solution with its dual amplifiers and compact 8-pin package. Its high slew rate and wide bandwidth make it ideal for fast signal processing applications, while the extended supply voltage range allows for flexibility in power supply design

Hauptmerkmale

This product has a high level of precision and accuracy
NCS20072DR2G features fast switching performance and low threshold voltage
It's suitable for many applications with low-voltage and high-frequency use
The ON-resistance is very low, making it energy-efficient

Anwendung

Fast Response Time
Robust Design
Multiple Output Options

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	751-07	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	2500	ON Target	Y
Rail to Rail	Output	Channels	2
VS Min (V)	2.7	VS Max (V)	36
Iq Typ (mA)	0.41	VOS Max (mV)	4
GBW Typ (MHz)	3	SR Typ (V/µs)	2.5
IO Typ (mA)	50	ΔVOS/ΔT (μV/C)	2
eN (nV/√Hz)	30	Ibias Typ (pA)	5
CMRR Typ (dB)	145	Architecture	CMOS
Temperature Range (°C)	-40 to 125	Pricing ($/Unit)	$0.1984Sample

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..