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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NE5517AN +BOM

NE5517AN amplifiers for transconductance

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NE5517AN
Datenblatt:

NE5517AN Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

648-08
MSL Type:

NA
MSL Temp (°C):

0
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NE5517AN

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NE5517AN Allgemeine Beschreibung

In addition to its impressive technical specifications, the NE5517AN comes in a convenient 8-pin DIP package and can operate in temperatures ranging from -40°C to +85°C. Whether it's used in precision measurement systems or instrumentation setups, this versatile operational amplifier delivers the performance and accuracy needed for critical applications

Hauptmerkmale

High-Speed Analog-to-Digital Conversion
Low Power Consumption with High Speed Performance
Wide Temperature Range Operation
Robust and Reliable Digital Interface
Suitable for Medical Device Application

Anwendung

Temperature sensors
Light sensors
Proximity sensors

Spezifikationen

Status	Obsolete	Compliance	PbAHP
Case Outline	648-08	MSL Type	NA
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Container Qty.	25	ON Target	N
Rail to Rail	No	Channels	2
VS Min (V)	10	VS Max (V)	18
Iq Typ (mA)	1.3	VOS Max (mV)	5
GBW Typ (MHz)	2	SR Typ (V/µs)	50
IO Typ (mA)	0.005	ΔVOS/ΔT (μV/C)	7
Ibias Typ (pA)	400000	CMRR Typ (dB)	110
Architecture	Bipolar	Temperature Range (°C)	0 to 70
Pricing ($/Unit)	Price N/A

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..