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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NIS5112D1R2G +BOM

12 V Electronic Fuse, eFuse

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NIS5112D1R2G
Datenblatt:

NIS5112D1R2G Datenblatt (PDF)
Function:

Electronic Fuse
Voltage - Input:

9V ~ 18V
Current - Output:

2A
Operating Temperature:

-40°C ~ 175°C
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NIS5112D1R2G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NIS5112D1R2G Allgemeine Beschreibung

Engineered by ON Semiconductor, this digital potentiometer boasts a compact 10-pin DFN package, making it an ideal space-saving solution for crowded circuit boards. The low temperature coefficient of 50 ppm/°C guarantees stable operation even in fluctuating environments, giving users peace of mind that their equipment will perform reliably over time

Hauptmerkmale

Safe Operating Area for 9V to 18V Inputs
No External Heat Sink Needed
Fully Analog Control Loop with Slew Rate Control
Soft Start Functionality Included and Adjustable
Internal Overvoltage Protection for High Voltage Applications
Thermal Shutdown Protection Active for Safe Operation

Anwendung

Computer Accessories
External Storage
Data Back-up Solutions

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)Power Management (PMIC)Current Regulation/Management	Series	-
Function	Electronic Fuse	Sensing Method	-
Accuracy	-	Voltage - Input	9V ~ 18V
Current - Output	2A	Operating Temperature	-40°C ~ 175°C
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	NIS5112

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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