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Siehe Technische Spezifikationen

NSR10F40NXT5G +BOM

40V 1A 490mV@1A DSN-2(0.6x1.4) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NSR10F40NXT5G
Datenblatt:

NSR10F40NXT5G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

152AD
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260

NSR10F40NXT5G Allgemeine Beschreibung

The NSR10F40NXT5G Schottky diode sets a new standard for efficiency and space optimization in electronic designs. With its low forward voltage drop and minimal leakage current, this diode is perfect for applications where power loss needs to be minimized. The Chip Scale Package (CSP) further enhances its appeal by reducing board space requirements, making it ideal for compact designs where space is at a premium. Its low thermal resistance ensures that heat buildup is kept to a minimum, allowing for higher efficiency and reliability in operation

Hauptmerkmale

High Efficiency Diodes
Low Loss Applications
Fast Switching Speed Diodes
High Surge Capability
High Voltage Ratings
Efficent Power Conversion

Anwendung

Fast Charging Technology
Bluetooth Connectivity
Customizable Settings

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	152AD	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	DSFTP
Container Qty.	5000	ON Target	Y
Configuration	Single	VRRM Min (V)	40
VF Max (V)	0.49	IRM Max (µA)	10
IO(rec) Max (A)	1	IFSM Max (A)	18
Pricing ($/Unit)	$0.1067Sample

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