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Siehe Technische Spezifikationen

NSVBAT54SWT1G +BOM

200 mA, 30 V, Schottky Diode, Dual Series

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NSVBAT54SWT1G
Datenblatt:

NSVBAT54SWT1G Datenblatt (PDF)
Diode Configuration:

1 Pair Series Connection
Technology:

Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

30 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode):

200mA (DC)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NSVBAT54SWT1G

NSVBAT54SWT1G Allgemeine Beschreibung

The NSVBAT54SWT1G Schottky diode is a versatile component suitable for a wide range of automotive applications, delivering reliable performance under demanding conditions. Its AEC-Q101 qualification ensures that it meets stringent automotive industry standards for quality and durability. With a maximum forward current of 200mA and a low forward voltage drop of 800mV, this diode is highly efficient in energy conversion

Hauptmerkmale

Advanced Gate Drive Technology
Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
High Surge Current Capability

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersDiode Arrays	Series	-
Diode Configuration	1 Pair Series Connection	Technology	Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30 V	Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	800 mV @ 100 mA	Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	5 ns	Current - Reverse Leakage @ Vr	2 µA @ 25 V
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	NSVBAT54

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