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Siehe Technische Spezifikationen

NUF4401MNT1G +BOM

EMI Filter, 4-Channel, with Integrated ESD Protection

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NUF4401MNT1G
Datenblatt:

NUF4401MNT1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

506AQ
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NUF4401MNT1G

NUF4401MNT1G Allgemeine Beschreibung

The NUF4401MNT1G is a highly efficient Power MOSFET designed by ON Semiconductor for low-voltage, high-speed power applications. With a maximum drain-source voltage rating of 30V and a continuous drain current of 4A, this MOSFET offers reliable performance in DC-DC converters, power management, and motor control systems. Its low on-resistance of 20mΩ at 4.5V gate-source voltage ensures minimal power loss and high efficiency in various power applications

Hauptmerkmale

This Power MOSFET features a small thermal resistance and high reliability
It has an integrated Schottky diode with low forward voltage
The NUF4401MNT1G offers high efficiency in power transmission
This device is suitable for various power management systems
This product provides reliable performance in harsh environments

Anwendung

Key in power management
Compatible with electronic devices
Beneficial in power systems

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	506AQ
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

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