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Siehe Technische Spezifikationen

NVVR26A120M1WST +BOM

Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC Power Module for Traction Inverter, Single-Side Cooling, 2.6mΩ Rds_on, 1200V, Half-Bridge, 90° Power Tabs

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NVVR26A120M1WST
Datenblatt:

NVVR26A120M1WST Datenblatt (PDF)
Case Outline:

MODHG
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NVVR26A120M1WST

NVVR26A120M1WST Allgemeine Beschreibung

The NVVR26A120M1WST is part of the EliteSiC power module family of for Hybrid and Electric Vehicle (HEV) traction inverter application. The module consists of two 1200V SiC MOSFETs in a Half-Bridge configuration. The EliteSiC chipset utilizes the M1 SiC technology from onsemi in providing high current density, robust short circuit protection, high block voltage, and high operating temperature to deliver class-leading performance in EV traction applications.

Hauptmerkmale

Half-Bridge Single Side Cooling
Ultra-Low Stray Inductance
Ultra-Low Rds_on
Tj_max = 175°C continuous operation
Automotive Grade EliteSiC MOSFET Technology
Sintering Technology for Die Attach

Anwendung

Automotive Traction Inverter

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	MODHG
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

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