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Siehe Technische Spezifikationen

PD57002 +BOM

Ultra-reliable RF MOSFETs offering V voltage and A current capabilitie

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

PD57002
Datenblatt:

PD57002 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

250 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PD57002

PD57002 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 10 mA 960MHz 15dB 2W 10-PowerSO

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	250 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	65 V	Operating Frequency	1 GHz
Gain	15 dB	Output Power	2 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Height	3.5 mm
Length	7.5 mm	Moisture Sensitive	Yes
Pd - Power Dissipation	4.75 W	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	PD57002	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	Width	9.4 mm
Unit Weight	0.105822 oz

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