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PDTC114YT,215 +BOM

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PDTA114YT

PDTC114YT,215 Allgemeine Beschreibung

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PDTA114YT

Nexperia Inventar

Hauptmerkmale

  • Built-in bias resistors
  • Increased design flexibility
  • Improved accuracy
  • Reduced component count
  • Faster development time
Nexperia Originalbestand

Anwendung

  • Data transmission control
  • Flexible input management
  • Improved efficiency
Nexperia Inventar

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - Pre-Biased Configuration Single
Transistor Polarity NPN Typical Input Resistor 10 kOhms
Typical Resistor Ratio 0.213 Mounting Style SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V Continuous Collector Current 100 mA
Peak DC Collector Current 100 mA Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Height 1 mm
Length 3 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory Transistors
Width 1.4 mm Part # Aliases 934054701215
Unit Weight 0.000282 oz Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA Power - Max 250 mW
Mounting Type Surface Mount Base Product Number PDTC114

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