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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PESD5V0U1BL +BOM

ESD Suppressors / TVS Diodes

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PESD5V0U1BL
Datenblatt:

PESD5V0U1BL Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.50
EDA/CAD Modelle:

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PESD5V0U1BL Allgemeine Beschreibung

Low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in an SOD882 leadless ultra-small plastic package designed to protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients.

Hauptmerkmale

Bidirectional ESD protection of one line
Low diode capacitance: Cd = 2.9 pF
Ultra low leakage current: IRM = 5 nA
ESD protection of up to 10 kV
IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Computers and peripherals
Audio and video equipment
Cellular handsets and accessories
10/100/1000 Ethernet
Local Area Network (LAN) equipment
Communication systems
Portable electronics
SIM card protection
High-speed data lines

Spezifikationen

Source Content uid	PESD5V0U1BL	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.50	Date Of Intro	2017-02-01
Breakdown Voltage-Max	9.5 V	Breakdown Voltage-Min	5.5 V
Breakdown Voltage-Nom	7 V	Configuration	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
Diode Element Material	SILICON	Diode Type	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code	R-PDSO-N2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	2	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity	BIDIRECTIONAL	Reference Standard	AEC-Q101; IEC-60134
Rep Pk Reverse Voltage-Max	5 V	Reverse Current-Max	0.1 µA
Reverse Test Voltage	5 V	Surface Mount	YES
Technology	AVALANCHE	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

Servicerichtlinien und andere

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