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Siehe Technische Spezifikationen

PESD5V0X1BCL +BOM

Bi-directional TVS diode for automotive applications, with a 5.5V breakdown voltage and 18V clamping voltage

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PESD5V0X1BCL
Datenblatt:

PESD5V0X1BCL Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.50
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PESD5V0X1BCL

Hauptmerkmale

- Excellent ESD clamping performance
- Ultra low leakage current
- Low device capacitance
- ESD protection up to 30 kV
- IEC 61000-4-2, level 4 compliant (8 kV
contact, 15 kV air discharge)
Key benefits
- Optimized diode structure for best-in-class
ESD protection of today’s sensitive
car electronics
- Low clamping voltages and fast response
times ensure optimal protection
- Ultra low leakage current helps to reduce
overall power consumption
- Low device capacitance keeps unwanted
disturbances in the circuits to a minimum

Spezifikationen

Source Content uid	PESD5V0X1BCL	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.50	Date Of Intro	2017-02-01
Breakdown Voltage-Max	12.3 V	Breakdown Voltage-Min	8.1 V
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 Code	R-PBCC-N2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity	BIDIRECTIONAL
Reference Standard	AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2	Rep Pk Reverse Voltage-Max	5.5 V
Surface Mount	YES	Technology	AVALANCHE
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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