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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PESD5Z3.3 +BOM

Check out the ESD Suppressors / TVS Diodes item labeled as PESD5Z3.3

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PESD5Z3.3
Datenblatt:

PESD5Z3.3 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.50
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PESD5Z3.3

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Hauptmerkmale

Uni-directional ESD protection of up to two lines
Max. peak pulse power: Ppp = 330 W at tp = 8/20 µs
Low clamping voltage: V(CL)R = 20 V at Ipp = 18 A
Ultra-low reverse leakage current: IRM <700 nA
ESD protection> 23 kV
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
IEC 61000-4-5 (surge); Ipp = 18 A at tp = 8/20 µs.

Spezifikationen

Source Content uid	PESD5Z3.3	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.50	Date Of Intro	2017-02-01
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 Code	R-PDSO-F2
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity	UNIDIRECTIONAL	Surface Mount	YES
Technology	AVALANCHE	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

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