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Siehe Technische Spezifikationen

PHPT610030NK-QX +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 100V 3A 140MHz 1W Surface Mount LFPAK56D

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PHPT610030NK-QX
Datenblatt:

PHPT610030NK-QX Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

100 V

PHPT610030NK-QX Allgemeine Beschreibung

NPN/NPN high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.

Hauptmerkmale

High thermal power dissipation capability
Suitable for high temperature applications up to 175 °C
Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK
High energy efficiency due to less heat generation
Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

Anwendung

Motor control
Power management
Load switch
Linear mode voltage regulator
Backlighting applications
Relay replacement

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	225 mV
Maximum DC Collector Current	8 A	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Gain Bandwidth Product fT	125 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Qualification	AEC-Q101
Continuous Collector Current	3 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	10 at 3 A, 10 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1500
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	934665022115

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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