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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PLM66100QDCKRQ1 +BOM

High-speed OR gate in a small SC- package for space-saving desig

Hersteller:

Texas Instruments, Inc
Herstellerteil #:

PLM66100QDCKRQ1
Datenblatt:

PLM66100QDCKRQ1 Datenblatt (PDF)
Vin (min) (V):

1.5
Vin (max) (V):

5.5
Number Of Channels:

1
Features:

Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PLM66100QDCKRQ1

PLM66100QDCKRQ1 Allgemeine Beschreibung

By utilizing two LM66100-Q1 devices in an ORing configuration, users can create a robust setup that handles dual input sources seamlessly. This implementation mimics a traditional dual diode ORing setup, allowing the devices to select the higher input voltage while preventing reverse current flow. The internal voltage comparator further enhances protection by ensuring that reverse current is effectively blocked. With a compact SC-70 package and a broad operating temperature range from -40°C to 150°C, the LM66100-Q1 offers a reliable solution for challenging environments

Hauptmerkmale

Reduced thermal noise: –40 dB (min)
Larger input range: 0-10 V
Improved frequency response: 100 kHz (max)

Spezifikationen

Vin (min) (V)	1.5	Vin (max) (V)	5.5
Number of channels	1	Features	Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection
Iq (typ) (mA)	0.00015	Iq (max) (mA)	0.0003
FET	Integrated single FET	Operating temperature range (°C)	-40 to 125
VSense reverse (typ) (mV)	46	Design support	EVM
Rating	Automotive	Imax (A)	1.5
Shutdown current (ISD) (mA) (A)	0.00012	Device type	Ideal diode controller
Product type	Ideal diode controller	Pin Count	6
Released Date	Apr 5, 2022	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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