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Siehe Technische Spezifikationen

PM50CL1A120 +BOM

IGBT Modules IPM MODULE L1-SERIES PM50CL1A120

Hersteller:

Mitsubishi Electronics
Herstellerteil #:

PM50CL1A120
Datenblatt:

PM50CL1A120 Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

7-Pack
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.75 V
EDA/CAD Modelle:

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PM50CL1A120 Allgemeine Beschreibung

The PM50CL1A120 power module from Mitsubishi Electric is a versatile and highly efficient solution for industrial power control. Its integrated design, combining an IGBT with a diode, enables seamless power switching and control, making it ideal for a wide range of industrial applications. With a maximum collector-emitter voltage of 1200V and a maximum collector current of 50A, this power module is well-suited for high-power requirements. Additionally, its low on-state voltage drop enhances energy efficiency by minimizing power losses

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	7-Pack	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.75 V	Continuous Collector Current at 25 C:	50 A
Pd - Power Dissipation:	168 W	Minimum Operating Temperature:	- 20 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Mounting Style:	Screw
Product Type:	IGBT Modules	Factory Pack Quantity:	10
Subcategory:	IGBTs

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