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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PMBFJ177 +BOM

Trans JFET P-CH 30V 20mA Si 3-Pin TO-236AB

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

PMBFJ177
Datenblatt:

PMBFJ177 Datenblatt (PDF)
VDS [max] (V):

30
RDSon [max] (ohm):

300
EDA/CAD Modelle:

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PMBFJ177 Allgemeine Beschreibung

Symmetrical silicon N-channel depletion type junction field-effect transistors (FETs) in aplastic microminiature envelope designed for application in thick and thin-film circuits. Thetransistors are intended for low-power, chopper or switching applications in industrialservice.

Hauptmerkmale

Interchangeable drain and source connections
Small package
Target Applications
Low-power chopper
Switching
Thick and thin-film circuits

Spezifikationen

VDS [max] (V)

RDSon [max] (ohm)

300

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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