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Siehe Technische Spezifikationen

PMEG6010AESBYL +BOM

60 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

PMEG6010AESBYL
Datenblatt:

PMEG6010AESBYL Datenblatt (PDF)
Technology:

Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

60 V
Current - Average Rectified (Io):

1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

625 mV @ 1 A
EDA/CAD Modelle:

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PMEG6010AESBYL Allgemeine Beschreibung

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection in a leadless ultra small DSN1006-2 (SOD993) Surface-Mounted Device (SMD) package.

Hauptmerkmale

Average forward current: IF(AV) ≤ 1 A
Reverse voltage: VR ≤ 60 V
Low forward voltage, typical: VF = 525 mV
Low reverse current, typical: IR = 185 µA
Package height typ. 270 µm

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

Low voltage rectification
High efficiency DC-to-DC conversion
Switch mode power supply
Low power consumption applications
Ultra high-speed switching
LED backlight for mobile application

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	-
Technology	Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	60 V
Current - Average Rectified (Io)	1A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	625 mV @ 1 A
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	2.4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	650 µA @ 60 V	Capacitance @ Vr, F	20pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount	Operating Temperature - Junction	150°C (Max)
Base Product Number	PMEG6010	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	2
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	No	feature-svhc-exceeds-threshold	No

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