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Siehe Technische Spezifikationen

PT12-21B/TR8 +BOM

With a power dissipation of 75mW and a low dark current of 100nA, PT12-21B/TR8 offers reliable performance

Hersteller:

Everlight
Herstellerteil #:

PT12-21B/TR8
Datenblatt:

PT12-21B/TR8 Datenblatt (PDF)
Product:

Phototransistors
Maximum On-State Collector Current:

1.14 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage:

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PT12-21B/TR8

PT12-21B/TR8 Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 940nm Side View 2-SMD, No Lead

Hauptmerkmale

User-friendly interface and navigation
Precision data logging and reporting
Fault detection and isolation
Real-time status updates

Anwendung

Power tools
Smart appliances
Factory automation

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Product	Phototransistors
Maximum On-State Collector Current	1.14 mA	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	30 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Dark Current	100 nA	Rise Time	15 us
Fall Time	15 us	Pd - Power Dissipation	75 mW
Minimum Operating Temperature	- 25 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	Phototransistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Optical Detectors & Sensors
Wavelength	940 nm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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