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Siehe Technische Spezifikationen

PTVS6V0S1UR +BOM

6V 400W TVS diode

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PTVS6V0S1UR
Datenblatt:

PTVS6V0S1UR Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PTVS6V0S1UR

Hauptmerkmale

Rated peak pulse power: PPPM = 400 W (350W for 3V3)
Small plastic package suitable for surface-mounted design
Reverse standoff voltage range: VRWM = 3.3 V to 64 V
Very low package height: 1 mm
Reverse current: IRM = 0.001 µA
AEC-Q101 qualified

Spezifikationen

Source Content uid	PTVS6V0S1UR	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	2
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.50	Breakdown Voltage-Max	7.37 V
Breakdown Voltage-Min	6.67 V	Breakdown Voltage-Nom	7.02 V
Clamping Voltage-Max	10.3 V	Configuration	SINGLE
Diode Element Material	SILICON	Diode Type	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 Code	R-PDSO-F2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Non-rep Peak Rev Power Dis-Max	400 W
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity	UNIDIRECTIONAL
Qualification Status	Not Qualified	Reference Standard	AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2; IEC-61643-321
Rep Pk Reverse Voltage-Max	6 V	Surface Mount	YES
Technology	AVALANCHE	Terminal Finish	Tin (Sn)
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

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