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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PUMH10 +BOM

NXP Semiconductors

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PUMH10
Datenblatt:

PUMH10 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Date Of Intro:

2017-02-01
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PUMH10

PUMH10 Allgemeine Beschreibung

NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistor (RET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PUMD10PNP/PNP complement: PUMB10

Hauptmerkmale

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Source Content uid	PUMH10	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Date Of Intro	2017-02-01	Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
Collector Current-Max (IC)	0.1 A	Collector-Emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	DC Current Gain-Min (hFE)	100
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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