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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QPD1004 +BOM

25W GaN RF Input-Matched Transistors

Hersteller:

QORVO
Herstellerteil #:

QPD1004
Datenblatt:

QPD1004 Datenblatt (PDF)
Technology:

GaN on SiC
Frequency Range:

30-40 MHz
Output Power (Pout):

65W
Gain:

16.8 dB
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

QPD1004 Allgemeine Beschreibung

The QPD1004 from Qorvo is a high-power, high-efficiency GaN on SiC RF transistor designed for applications in the 30-40 MHz range. With an output power of 65W and a gain of 16.8 dB, it's suitable for a range of applications from VHF broadcasting to military radar systems.

Hauptmerkmale

Technology: GaN on SiC.
Frequency Range: Operates in the 30-40 MHz range.
Output Power (Pout): Typically around 65W.
Gain: Typically offers a gain of around 16.8 dB.
Drain Efficiency: Approximately 75%.
Operating Voltage: Typically around 50V.
Package: Offered in a two-lead flanged package.

Anwendung

VHF Broadcasting: Given its frequency range.
Avionics: For communication and radar systems.
Military and Defense: In radar systems and other RF equipment.
Industrial and Medical: High-power RF applications.

Spezifikationen

Product	QPD1004	Technology	GaN on SiC
Frequency Range	30-40 MHz	Output Power (Pout)	65W
Gain	16.8 dB	Drain Efficiency	75%
Operating Voltage	50V	Product Category	RF JFET Transistors
Transistor Type	HEMT	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	RF JFET Transistors	Series	QPD1004
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	Transistors

QPD1004 Gleichwertige Teile

Sie können diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:

Artikelnummer

Auf Lager

Paket

Beschreibung

Artikelnummer: CGHV1F025S

Auf Lager: 6.096

Paket:

Beschreibung: A GaN HEMT transistor with similar frequency range and power levels.

Artikelnummer: BLF888D

Auf Lager: 5.687

Paket:

Beschreibung: Another RF power transistor with comparable specifications.

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