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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QSB320 +BOM

IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2-PLCC

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

QSB320
Datenblatt:

QSB320 Datenblatt (PDF)
Peak Wavelength:

880 nm
Operating Supply Voltage:

5 V
Maximum On-State Collector Current:

16 uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

QSB320 Allgemeine Beschreibung

Optoswitch; Transistor Polarity:NPN; Wav; Optoswitch; Transistor Polarity:NPN; Wavelength Typ:880nm; Power Consumption:165mW; Viewing Angle:120°; No. of Pins:2; Input Current Max:100µA; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Surface Mount; No. of Channels:1

Hauptmerkmale

Surface Mount PLCC-2 Package
Wide Reception Angle, 120°
High Sensitivity
Phototransistor Output
Matched Emitter: QEB421

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Peak Wavelength	880 nm
Operating Supply Voltage	5 V	Maximum On-State Collector Current	16 uA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector-Emitter Breakdown Voltage	30 V
Dark Current	200 nA	Rise Time	8 us
Fall Time	8 us	Pd - Power Dissipation	165 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Series	QSB320	Half Intensity Angle Degrees	120 deg
Height	2.1 mm	Length	3.4 mm
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	Phototransistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Optical Detectors & Sensors
Type	Phototransistor	Width	3 mm
Unit Weight	0.004540 oz

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