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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

R1LP0408DSB-5SI#B1 +BOM

State-of-the-art 4Mb Low Power PSRAM

Hersteller:

Renesas
Herstellerteil #:

R1LP0408DSB-5SI#B1
Datenblatt:

R1LP0408DSB-5SI#B1 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

32
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an R1LP0408DSB-5SI#B1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

R1LP0408DSB-5SI#B1 Allgemeine Beschreibung

With the R1LP0408DSB-5SI#B1, Renesas Electronics presents a top-of-the-line synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip that belongs to the LPDDR1 series. Boasting a sizable capacity of 512 megabits (64 megabytes), this chip delivers unparalleled data processing capabilities. The "5SI" identifier signifies a maximum operating frequency of 200 MHz, ensuring rapid and efficient data retrieval. Operating at a low voltage of 1.8V, this chip prioritizes energy efficiency without compromising on performance. Its compact size and minimal power consumption make it well-suited for a wide range of applications, including mobile devices, embedded systems, and portable electronics. The presence of the "#B1" suffix likely conveys specific packaging or production details, further enhancing the chip's utility and adaptability

Hauptmerkmale

High speed performance
Limited power consumption
Robust design

Spezifikationen

Source Content uid	R1LP0408DSB-5SI#B1	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	32
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	3A991.B.2.A
HTS Code	8542.32.00.41	Factory Lead Time	52 Weeks
JESD-30 Code	R-PDSO-G32	Memory IC Type	STANDARD SRAM
Memory Organization	512KX8	Memory Width	8
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Functions	1
Number of Terminals	32	Number of Words Code	512000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Parallel/Serial	PARALLEL
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL

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