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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

R2A25110KSP#U50 +BOM

High-Side or Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 48-SSOP

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

R2A25110KSP#U50
Datenblatt:

R2A25110KSP#U50 Datenblatt (PDF)
Driven Configuration:

High-Side or Low-Side
Channel Type:

Synchronous
Number Of Drivers:

2
Gate Type:

IGBT
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an R2A25110KSP#U50

R2A25110KSP#U50 Allgemeine Beschreibung

The R2A25110KSP#U50 is a cutting-edge IGBT gate-drive IC designed for high voltage inverter applications. Its innovative Micro Isolator features a coreless transformer structure, ensuring seamless data transfer with high voltage isolation between the primary MCU circuit and the secondary IGBT circuit. This sophisticated device boasts an array of essential components including IGBT gate drive, Miller clamp, and soft turn-off circuits, as well as crucial protection circuits like IGBT temperature detection. With support for driving parallel IGBTs, the R2A25110KSP#U50 is the ultimate solution for demanding industrial applications

Hauptmerkmale

and

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)Power Management (PMIC)Gate Drivers	Series	-
Driven Configuration	High-Side or Low-Side	Channel Type	Synchronous
Number of Drivers	2	Gate Type	IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH	1.65V, 3.85V	Current - Peak Output (Source, Sink)	10A, 10A
Input Type	Non-Inverting	Rise / Fall Time (Typ)	-
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Channels (#)	1	Input Voltage (Min) (V)	4.5, 4.5 (Primary)/12.5 (Secondary)
Input Voltage (Max) (V)	5.5, 5.5 (Primary)/21.5 (Secondary)	Isolation Voltage (Vrms)	2500
Common Mode Transient Immunity (kV/µs)	35	On Resistance (Ω)	1
Turn-On Prop Delay (ns)	140, 140 ns (max.)	Turn-Off Prop Delay (ns)	140, 140 ns (max.)
IGBT temperature monitor	Available (PWM output)	Parametric Applications	Automotive Inverter/Converter
Qualification Level	Automotive	Pkg. Type	SSOP48
Temp. Range	-40 to 125°C

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