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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RB751V40T1G +BOM

30 mA, 30 V, Schottky Diode

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

RB751V40T1G
Datenblatt:

RB751V40T1G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

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RB751V40T1G Allgemeine Beschreibung

The RB751V40T1G Schottky diode is designed to meet the demands of high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Its low forward voltage leads to reduced conduction loss, ensuring efficient operation. The miniature surface mount package further enhances its appeal, making it suitable for handheld and portable devices with space constraints. As a result, this diode is a practical choice for electronic designs that prioritize performance in a compact form factor

Hauptmerkmale

Superior Power Efficiency
Fast Switching Response Time
Low Vibration Noise Level
Compact and Rugged Design
Precision Temperature Control
Robust Overcurrent Protection

Spezifikationen

Source Content uid	RB751V40T1G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	2
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.70	Factory Lead Time	4 Weeks
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	RECTIFIER DIODE	Forward Voltage-Max (VF)	0.37 V
JESD-30 Code	R-PDSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Non-rep Pk Forward Current-Max	0.5 A
Number of Elements	1	Number of Phases	1
Number of Terminals	2	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Output Current-Max	0.03 A
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Power Dissipation-Max	0.2 W
Qualification Status	Not Qualified	Rep Pk Reverse Voltage-Max	40 V
Surface Mount	YES	Technology	SCHOTTKY
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

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