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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

REF3312AIDBZR +BOM

1.25-V voltage reference with 30-ppm/°C drift and 3.9-µA consumption

Hersteller:

Texas Instruments
Herstellerteil #:

REF3312AIDBZR
Datenblatt:

REF3312AIDBZR Datenblatt (PDF)
VO (V):

1.25
Initial Accuracy (max) (%):

0.15
Temp Coeff (max) (ppm/°C):

30
Vin (min) (V):

1.7
EDA/CAD Modelle:

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REF3312AIDBZR Allgemeine Beschreibung

With a maximum input voltage of 7.5V and a maximum output current of 5mA, the REF3312AIDBZR is capable of providing stable and reliable voltage references in various circuit designs. Furthermore, it is RoHS compliant, meeting the industry standards for environmentally friendly manufacturing processes

Hauptmerkmale

Silicon Germanium Heterostructure Design
Ultra-Low Power Consumption: 1.9 µA (typ)
Extremely Low Dropout Voltage: 120 mV (max)
Robust Output Current: ±8 mA
Low Temperature Drift: 20 ppm/°C (max)
High Initial Accuracy: ±0.3%

Anwendung

Data accuracy
Sensor compatibility
Process control

Spezifikationen

VO (V)	1.25	Initial accuracy (max) (%)	0.15
Temp coeff (max) (ppm/°C)	30	Vin (min) (V)	1.7
Vin (max) (V)	5.5	Iq (typ) (mA)	0.0039
Rating	Catalog	LFN 0.1 to 10 Hz (typ) (µVPP)	35
Iout/Iz (max) (mA)	5	Operating temperature range (°C)	-40 to 125

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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