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Siehe Technische Spezifikationen

RHRG3060CC +BOM

0A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

RHRG3060CC
Datenblatt:

RHRG3060CC Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Peak Reverse Voltage:

600 V
Max Surge Current:

325 A
If - Forward Current:

30 A
EDA/CAD Modelle:

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RHRG3060CC Allgemeine Beschreibung

Elevate your power switching capabilities with the RHRG3060CC hyperfast dual diode. Boasting soft recovery characteristics and a rapid half recovery time, this diode surpasses traditional ultrafast diodes in performance. The silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction ensures longevity and reliability, making it an ideal choice for freewheeling/clamping diodes and switching power supplies. With its low stored charge and hyperfast soft recovery, the RHRG3060CC effectively reduces ringing and electrical noise, leading to minimized power loss in switching transistors. Enhance your power management systems with this innovative and efficient diode solution

Hauptmerkmale

Ultra Fast Switching
Low Loss Performance
High Efficiency Operation
Achieve High Power Density

Anwendung

Internet of Things
Machine Learning
Computer Vision

Spezifikationen

Product Category	Diodes - General Purpose, Power, Switching	Mounting Style	Through Hole
Peak Reverse Voltage	600 V	Max Surge Current	325 A
If - Forward Current	30 A	Configuration	Dual
Recovery Time	45 ns	Vf - Forward Voltage	2.1 V
Ir - Reverse Current	250 uA	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	RHRG3060CC
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	Diodes - General Purpose, Power, Switching	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	Diodes & Rectifiers	Type	Switching Diode
Vr - Reverse Voltage	600 V	Width	4.82 mm
Part # Aliases	RHRG3060CC_NL	Unit Weight	0.225401 oz

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