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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RMLV0414EGSB-4S2#HA1 +BOM

Designed for high-speed performance

Hersteller:

Renesas Electronics
Herstellerteil #:

RMLV0414EGSB-4S2#HA1
Datenblatt:

RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Datenblatt (PDF)
Memory Size:

4 Mbit
Organization:

256 k x 16
Access Time:

45 ns
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RMLV0414EGSB-4S2#HA1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Allgemeine Beschreibung

With its compact 44-pin TSOP (II) form factor, the RMLV0414E Series is designed to fit seamlessly into a variety of designs, providing flexibility and ease of integration. Renesas's commitment to quality and innovation shines through in every aspect of the RMLV0414E Series, setting a new standard for static RAM technology

Hauptmerkmale

Memory density: 4M bits
Data transfer rate: 10MB/s (max.)
High-speed operation with low power consumption
ECC (Error-Correcting Code) for data integrity

Spezifikationen

Product Category	SRAM	Memory Size	4 Mbit
Organization	256 k x 16	Access Time	45 ns
Maximum Clock Frequency	-	Interface Type	Parallel
Supply Voltage - Max	3.6 V	Supply Voltage - Min	2.7 V
Supply Current - Max	25 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Mounting Style	SMD/SMT
Height	1.2 mm	Length	18.41 mm
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	SRAM
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Memory & Data Storage
Width	10.16 mm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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