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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RPM-012PBT97 +BOM

Ultra compact and small for tight spac

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

RPM-012PBT97
Datenblatt:

RPM-012PBT97 Datenblatt (PDF)
Product:

Phototransistors
Maximum On-State Collector Current:

20 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

32 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:

400 mV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RPM-012PBT97

RPM-012PBT97 Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 800nm Side View 4-SMD, No Lead

Hauptmerkmale

1) High sensitivity by 2 lenze.
2) Ultra-compact surface mount package. (3mm x 3mm x 2mm)
3) It is possible to do Reflow.

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Product	Phototransistors
Maximum On-State Collector Current	20 mA	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	32 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV	Dark Current	500 nA
Rise Time	10 us	Fall Time	10 us
Pd - Power Dissipation	75 mW	Minimum Operating Temperature	- 30 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Series	RPM-012PB
Light Current	1.6 mA	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	Phototransistors	Factory Pack Quantity	3500
Subcategory	Optical Detectors & Sensors	Wavelength	800 nm
Part # Aliases	RPM-012PB

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