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Siehe Technische Spezifikationen

S71KS512SC0BHB000 +BOM

Multichip Packages Nor

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

S71KS512SC0BHB000
Datenblatt:

S71KS512SC0BHB000 Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
Memory Type:

Non-Volatile, Volatile
Memory Format:

FLASH, RAM
Technology:

FLASH, DRAM
EDA/CAD Modelle:

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S71KS512SC0BHB000 Allgemeine Beschreibung

FLASH, DRAM Memory IC 512Mbit (FLASH), 64Mbit (RAM) Parallel 166 MHz 24-FBGA (6x8)

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
Memory Type	Non-Volatile, Volatile	Memory Format	FLASH, RAM
Technology	FLASH, DRAM	Memory Size	512Mbit (FLASH), 64Mbit (RAM)
Memory Organization	-	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	166 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	-
Voltage - Supply	1.7V ~ 1.95V	Operating Temperature	-40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	S71KS512
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Family	KS-S
Interface Frequency (SDR/DDR)	- / 166	Operating Voltage max	1.95 V
Operating Voltage min	1.7 V	Operating Temperature max	105.0 °C
Operating Temperature min	-40.0 °C	Interfaces	HYPERBUS
Qualification	Automotive	Lead Ball Finish	Sn/Ag/Cu

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