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Siehe Technische Spezifikationen

SBAS20HT1G +BOM

The switching diode is designed for high speed switching applications.

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SBAS20HT1G
Datenblatt:

SBAS20HT1G Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Technology:

Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

200 V
Current - Average Rectified (Io):

200mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SBAS20HT1G

SBAS20HT1G Allgemeine Beschreibung

The switching diode is designed for high speed switching applications.

Hauptmerkmale

Ultra-low leakage current for reduced noise
High isolation voltage for reliable separation
Compact footprint for minimal space requirements
Limited capacitance for low power consumption

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	Automotive, AEC-Q101
Technology	Standard	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200 V
Current - Average Rectified (Io)	200mA	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25 V @ 200 mA
Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	Reverse Recovery Time (trr)	50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 200 V	Capacitance @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount	Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Base Product Number	SBAS20	Product Category	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Product	Switching Diodes	Mounting Style	SMD/SMT
Peak Reverse Voltage	200 V	Max Surge Current	625 mA
If - Forward Current	200 mA	Configuration	Single
Recovery Time	50 ns	Vf - Forward Voltage	1.25 V
Ir - Reverse Current	100 uA	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Maximum Diode Capacitance	5 pF	Pd - Power Dissipation	200 mW
Product Type	Diodes - General Purpose, Power, Switching	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Diodes & Rectifiers	Unit Weight	0.000363 oz

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