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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SHF-0289 +BOM

A high-frequency transistor for advanced communication systems, offering exceptional performance and reliability

Hersteller:

QORVO, INC
Herstellerteil #:

SHF-0289
Datenblatt:

SHF-0289 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.75

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Patented GaAs Heterostructure FET Technology
+30dBm Output Power at 1dB Compression
+46dBm Output IP3
High Drain Efficiency: Up to 40% at Class AB
13 dB Gain at 900MHz (Application circuit)
13 dB Gain at 1900MHz (Application circuit)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.75	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	9 V
Drain Current-Max (ID)	0.4 A	FET Technology	HETERO-JUNCTION
Highest Frequency Band	C BAND	JESD-30 Code	R-PSSO-F3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max	165 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	7 W	Power Gain-Min (Gp)	13.1 dB
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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