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SI1869DH-T1-E3 +BOM

This product is part of the Si1869DH Series, featuring a compact SC-70-6 package for easy installation and integration

SI1869DH-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

With a drain-source voltage rating of 20V, the SI1869DH-T1-E3 is a versatile dual NPN/PNP MOSFET. Its ability to handle a continuous drain current of 1.2A for both the N-channel and the P-channel makes it suitable for various low-power applications

Hauptmerkmale

  • The SI1869DH-T1-E3 is a MOSFET transistor by Vishay
  • It features a low on-resistance of typically 4
  • 5 mΩ, a compact PowerPAK® SO-8 package, and a 30 V drain-source voltage rating
  • This device is suitable for various power management applications, offering efficiency and reliability in a small footprint
  • Anwendung

    • Efficient power handling
    • Portable electronics
    • High switching speed

    Spezifikationen

    Product Category MOSFET Technology Si
    Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity P-Channel
    Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
    Id - Continuous Drain Current 1.2 A Rds On - Drain-Source Resistance 165 mOhms
    Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
    Pd - Power Dissipation 1 W Channel Mode Enhancement
    Tradename TrenchFET Configuration Dual
    Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Part # Aliases SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-E3
    Unit Weight 0.000265 oz

    Servicerichtlinien und andere

    After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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    AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

    Garantie Garantie

    Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

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