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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SKM300GA123D +BOM

N-channel insulated gate bipolar transistor for high-reliability designs

Hersteller:

Semikron
Herstellerteil #:

SKM300GA123D
Datenblatt:

SKM300GA123D Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
Channel Type:

N

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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SKM300GA123D Allgemeine Beschreibung

Whether you're designing a motor drive system, a renewable energy converter, or a grid-tied inverter, the SKM300GA123D IGBT module offers the versatility and reliability you need. Its N Channel design allows for efficient power flow and low on-state resistance, resulting in minimal power loss and improved energy efficiency

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
Channel Type	N	Configuration	Single
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	3.1	Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	1200
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±20	Maximum Continuous Collector Current (A)	300
Minimum Operating Temperature (°C)	-40	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Mounting	Screw	PCB changed	4
Pin Count	4

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