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Siehe Technische Spezifikationen

SPC584C70E3F001X +BOM

Embedded system solution for modern application

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

SPC584C70E3F001X
Datenblatt:

SPC584C70E3F001X Datenblatt (PDF)
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EDA/CAD Modelle:

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SPC584C70E3F001X Allgemeine Beschreibung

The SiC diode, available in TO-247, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

Hauptmerkmale

AEC-Q101 qualified
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Robust high-voltage periphery
PPAP capable
Operating Tj from -40 °C to 175 °C
ECOPACK2 compliant

Spezifikationen

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