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Siehe Technische Spezifikationen

SS26T3G +BOM

Silicon-based Schottky Rectifier Diode with 1 Phase, 1 Element, 2A current, and 60V reverse voltage

Hersteller:

ON
Herstellerteil #:

SS26T3G
Datenblatt:

SS26T3G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

403A-03
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SS26T3G

SS26T3G Allgemeine Beschreibung

The SS26T3G product is a Schottky Rectifier that utilizes the Schottky Barrier principle in a metal-to-silicon power rectifier. Its epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact make it a highly reliable and efficient component for a variety of applications. This rectifier is particularly well-suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheeling diodes, and polarity protection diodes. With its robust design and advanced technology, the SS26T3G offers a dependable solution for demanding industrial and electronic systems

Hauptmerkmale

Current Limiting Feature
Self-Recovery Capability
High Surge Tolerance

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	403A-03	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	2500	ON Target	N
Configuration	Single	VRRM Min (V)	60
VF Max (V)	0.63	IRM Max (µA)	400
IO(rec) Max (A)	2	IFSM Max (A)	40
Pricing ($/Unit)	$0.092

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